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    仙桃CKG-60三靶共濺薄膜製備

    仙桃CKG-60三靶共濺薄膜製備

    • 所屬分類:仙桃共濺薄膜製備
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    • 發布日期:2020-08-07 15:38:24
    • 產品概述

    CKG-60三靶共濺薄膜製備係統

    設備用途:

    CKG-60三靶共濺薄膜製備係統金屬和合金薄膜、半導體薄膜、磁性材料薄膜、氧化物和氮化物等電介質薄膜、新型功能薄膜、多層薄膜、多元彌散複合膜的製備。

    主要配置及特點:

    主要由不鏽鋼真空室,真空及測量係統,供氣及流量控製係統,多樣品轉台(加熱、水冷、多層膜),膜厚儀,磁控靶(RF&DC),射頻、直流電源,電氣控製係統以及水冷係統等組成。采用好色先生TV网站方式沉積薄膜,可用於製備半導體薄膜、金屬薄膜、磁性材料薄膜,以及氧化物、氮化物薄膜等電介質薄膜。工作方式包括單靶獨立濺射沉積、程控輪流分層濺射沉積多層膜、三靶共濺射沉積彌散複合膜等。本係統所製備薄膜的均勻性較好(±5%)。

    技術指標:

    1)真空係統采用機械泵-渦輪分子泵複合係統,30分鍾真空度可達到6×10-4 Pa;

    2)經48小時連續烘烤(120℃),好色先生TV网站室優於8×10-6 Pa;

    3)濺射功率:<3000W;

    4)基片加熱溫度:室溫~800℃;

    5)基片最 高偏壓:-200V;

    6)膜厚不均勻性:±5%範圍內;

    7)靶片直徑:76mm;

    8)樣品直徑:76mm。

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